1.招标条件

本项目已通过主管部门审批，招标人为哈尔滨工业大学，项目已具备招标条件，现对该项目进行公开招标。

2.项目概况

2.1项目名称：晶体薄膜生长设备

2.2项目编号：HITZB-988

2.3采购数量：1

2.4采购需求及主要技术指标：（序号以用户提供为序）

设备特性：

该设备可一次输送4~6片六英寸单晶硅衬底；靶源数6个，可同时氧化钇、氧化锆、氧化镁、钛酸锶、氮化钛和金属铱等多个单晶过渡层材料的沉积；样品沉积状态可容纳6英寸单晶硅或氧化铝等衬底，采用步进电机驱动样品台以5~50转/分速率均匀旋转，确保在6英寸范围内均匀沉积单晶层材料，同时可上下调整，保证沉积速率的稳定性。

设备详细技术参数如下：

该设备需要利用分子束源炉及电子束的方式镀制薄膜，由蒸发沉积室、电子束与蒸发室（兼进样室）、束源炉、样品磁力传递机构、样品加热机构、泵抽系统、真空测量系统、气路系统、电控系统等组成。

1、电子束及电阻蒸发室

需要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、考夫曼离子枪、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、安装机台及电控系统等部分。

指标要求如下：

极限真空度：≤7×10-5 Pa (经烘烤除气后)；

系统真空检漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.l/S；

系统短时间暴露大气后，再抽气1小时内需达到10-4Pa的真空度。

1.1 真空室组件，1套

真空室为U型箱体活开门结构，尺寸不小于500mm ×500mm ×600mm，四壁水道冷却，壁挂防污板，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行特殊工艺抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封。

1.2 旋转基片加热台，1套

1.2.1基片尺寸：可放置基片尺寸不小于6英寸；

1.2.2基片加热最高温度不小于600°C、由热电偶闭环反馈控制；

1.2.3基片可连续回转，转速可控，电机驱动磁耦合机构控制；

1.2.4基片与蒸发源之间距离可调，不小于300mm。

1.2.5手动控制样品挡板组件；

1.3 考夫曼离子清洗系统 ，1套

1.3.1引出栅直径：不小于30mm；

1.3.2离子束能量：连续可调，大于0.4KeV；

1.3.3离子流密度：不小于1mA/cm2；

1.3.4工作真空度：优于2×10-2Pa；

1.4电阻蒸发源，1套

1.4.1、蒸发水冷电极至少3根，组成2个蒸发舟，蒸发控制电源1套，可相互切换，蒸发电源电压5、10V，电流300A，最大输出功率3KW；

1.4.2、蒸发源手动控制挡板；

1.5电子枪及电源，1套

1.5.1 270°E型电子枪及高压电源，电子枪功率0~6 KW可调；

1.5.2电子枪阳极电压：6kV和8kV可选；

1.5.3电子束可二维扫描调节，最大扫描正负15mm（X，Y），备有遥控盒, 可手持遥控操作扫描；

1.5.4水冷式坩埚：四穴坩埚，每个容量不小于10ML，手动切换；单穴尺寸不小于Φ30mm ×Φ22mm ×22mm（圆台型）；

1.5.5可控制坩埚位置变化；

1.5.6由气动驱动坩埚挡板；

1.5.7、具有高压灭弧自动复位功能；

1.6石英晶体振荡膜厚监控仪

1.6.1监测膜厚显示范围：0~99μ9999Å；

1.6.2厚度分辨率：1Å；

1.6.3控制精度：1 Å；

1.6.4监测时间显示范围：1分~99小时；

1.6.5、与分子束束流探头共用显示器。

1.7 工作气路

1.7.1 50SCCM质量流量控制器、充气阀CF16；

1.7.2、充气阀D6用于解除真空；

1.8抽气机组及阀门、管道、真空测量，1套

1.8.1复合分子泵及变频控制电源：抽速不小于1200升/秒；

1.8.2直联机械泵：抽速不小于8升/秒；

1.8.3电磁压差阀：KF40；

1.8.4分子泵与机械泵软联接金属软管：1套 ；

1.8.5机械泵与真空室之间的旁抽管路：采用KF40电磁阀及CF35角阀；

1.8.6手动闸板阀：CF200；

1.8.7高真空金属真空计：优于10－5Pa

1.9窗口及法兰接口部件，1套

1.9.1磁力旋转观察窗挡板：RF100；

1.9.2陶瓷封接两芯引线法兰：CF16，不少于2个；

1.9.3单芯陶瓷封接引线法兰：CF16；

1.10磁力传递部件 ，1套

采用手动磁力传递机构把样品可以送到MBE真空室内,或从MBE真空室把样品取出。

2、分子束蒸发沉积室

该室主要采用分子束外延沉积：

极限真空度：优于7´10-8Pa；

真空室检漏漏率：优于5´10-10 Pa.L/S；

2.1沉积室腔体组件

腔体尺寸不小于Φ650×600mm，双层水冷，上开盖，下底为封头结构。选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，内外表面采用特殊工艺抛光处理，外形美观。

2.2样品沉积转台组件，1套

2.2.1、样品尺寸：不小于6英寸

2.2.2、样品采用石墨加热，最高加热温度不低于800℃。

2.2.3、转速连续可调。

2.2.4、样品承托架可手动上、下升降。

2.3 分子束源炉，5套

最高加热温度：不小于1300℃

控温精度±1℃。

2.4 观察窗组件，2~3套

通光尺寸：不小于100mm。

2.5具有观察窗挡板

2.6石英晶体振荡膜厚监控仪，1套

2.6.1监测膜厚显示范围：0~99μ9999Å；

2.6.2厚度分辨率：1Å；

2.6.3控制精度：1 Å；

2.6.4监测时间显示范围：1分~99小时；

2.6.5与电子束束流探头共用显示器。

2.7真空系统及真空测量，1套

2.7.1高真空金属真空计：优于10-8Pa

2.7.2手动超高真空闸板阀：CF100

2.7.3金属软管接头

2.7.4钛升华泵

2.7.5溅射离子泵：抽速不小于400L/S

2.7.6手动超高真空闸板阀： CF150和CF200。

2.8 差分式高能电子衍射仪（RHEED）

2.8.1高能电源：最高能量25KV，最大束流100μA

2.8.2三极溅射离子泵：抽速不小于25升/秒。

3、必要的备件

3.1密封用胶圈及无氧铜垫圈：1套

3.2石英晶振片：10个

3.3 直径100mm铅玻璃：1块

3.4样品加热丝：2套；电子枪灯丝：10个

3.5电子枪用石墨坩锅：4个

3.6无氧铜坩锅：2个

3.7 热蒸发钼舟：5个

质保期：1年

供货时间：6个月

3.投标人资格要求

3.1投标人需具备中华人民共和国境内的独立法人资格，本次招标不接受联合体投标，不允许将项目分包或转包。

3.2投标人需具备《中华人民共和国政府采购法》第二十二条的条件，并未被列入政府采购黑名单。

4．资格审查方式

本项目采用资格后审方式,主要资格审查标准、内容等详见招标文件。

5.投标报名

凡有意参加投标者，请于2015年7月15日至2015年7月21日(法定公休日、法定节假日除外)，每日上午8时30分至11时30分，下午13时30分至16时30分(北京时间)，将报名材料(本公告附件1、附件2)送达或邮寄（以签收邮件时间为准）至哈尔滨市南岗区西大直街92号哈尔滨工业大学行政办公楼110房间。

6.招标文件的获取

如果报名符合开标条件，招标文件将以电子邮件的形式发送到您报名表中所留的邮箱，敬请自行查阅，哈工大招标与采购管理中心不再另行通知，请按招标文件要求交纳投标保证金等相关费用，以获取投标资格。

7.投标文件的递交

7.1投标文件递交截止时间及地点详见招标文件。

7.2逾期送达的或者未送达指定地点的投标文件，招标人不予受理。

8.发布公告的媒介

本次招标公告同时在以下媒介上发布：

中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）

中国招标投标网（http://www.cec.gov.cn/）

哈尔滨工业大学（http://www.hit.edu.cn/）

哈尔滨工业大学国资处(http://gzc.hit.edu.cn)

9.本项目招投标过程中如出现有弄虚作假、恶意投诉和无理缠诉行为的投标企业，将严格按相关法律和规定处理。

10.联系方式

招标机构：哈尔滨工业大学招标与采购管理中心

地址：哈尔滨市南岗区西大直街92号哈尔滨工业大学行政办公楼110房间

邮编：150001

招标联系人：李占奎 李桂霞  电话： 0451-86417955   邮箱:zhankui@126.com

技术联系人：代兵           电话： 0451-86402954
       附件1-哈尔滨工业大学招标采购项目投标报名登记表.doc
       附件2-投标人诚信承诺书.doc

哈尔滨工业大学招标与采购管理中心

                                            2015年7月15日